避色金属导线析出物残留在阻障层上的方法

摘要

一般的积体电路金属化制程 ( metallization process )中，由于原子彼此扩散或凝集的原故，往往会产生若干析出物 (precipitate) 于金属层与阻障层 (barrier layer) 的界面上，当蚀刻金属层以定义金属导线图案时，上述析出物并不会随之去除而仍残留在阻障层上，造成额外的遮罩 (mask)影响了后续制程。本发明之改良方法即藉由在蚀刻定义金属导线图案后，增加一等向性蚀刻 (isotropic etching)步骤，以蚀去阻障层的表层部分并一并清除残留在阻障层上的析出物，避免成为后续制程时不必要的遮罩，可改善元件性质并提升产品良率(yield)。

主权项

1.一种避免金属导线析出物残留在阻障层上的方法,包括下列步骤:提供一半导体基底,其上至少覆盖一具有接触开口的介电层;形成一阻障层于该介电层上;形成一金属层于该阻障层上,其中在该阻障层与该金属层的界面上自然产生一析出物;选择性地蚀刻该金属层以定义出金属导线图案;以等向性蚀刻程序蚀去该阻障层未被该金属导线图案盖住区域的表层部分,藉此一并清除该析出物;以及蚀去该阻障层未被该金属导线图案盖住区域的剩余部分,完成该金属导线的制造。2.如申请专利范围第1项所述之避免金属导线析出物残留在阻障层上的方法,其中该阻障层的材质为钛钨合金(TiW)。3.如申请专利范围第2项所述之避免金属导线析出物残留在阻障层上的方法,其中该金属层的材质为铝矽铜合金(AlSiCu)。4.如申请专利范围第3项所述之避免金属导线析出物残留在阻障层上的方法,其中该析出物为矽晶结块(SiNodule)。5.如申请专利范围第3项所述之避免金属导线析出物残留在阻障层上的方法,其中该析出物为铜或铜铝合金(CuAlx)。6.如申请专利范围第3项所述之避免金属导线析出物残留在阻障层上的方法,其中该析出物为钛铝合金(TiAl3)或钨铝合金(WAl3)。7.如申请专利范围第3项所述之避免金属导线析出物残留在阻障层上的方法,其中该等向性蚀刻程序对该铝矽铜合金的蚀刻速率大于对该钛钨合金的蚀刻速率。图示简单说明:第一图为一习知铝矽铜合金金属导线构造的上视图;第二图为第一图中沿Ⅱ-Ⅱ线所作之剖面图;以及第三A至三C图均为剖面示意图,绘示依据本发明制造方法一较佳实施例的制造流程。