| 主权项 |
1.一种承载台,系指热处理半导体基板时具有在水平方向保持前述半导体基板的构造之承载台,其特征在于:此承载台系为:在将前述半导体基板装在其上面的状态下,至少在热处理温度,前述半导体基板系成为平面而构成者。2.一种承载台,系指热处理半导体基板时具有在水平方向保持前述半导体基板的构造之承载台,其特征在于:此承载台具有:在将前述半导体基板装在其上面的状态下,至少在热处理温度,前述半导体基板系成为平面而防止前述半导体基板因本身之重量而变形者。3.一种承载台,系指热处理半导体基板时具有在水平方向保持前述半导体基板的构造之承载台,其特征在于:此承载台具有:在将前述半导体基板装在其上面的状态下,至少在热处理温度,防止在前述半导体基板内部产生应力的机构。4.一种承载台,系指热处理半导体基板时具有在水平方向保持前述半导体基板的构造之承载台,其特征在于:此承载台系为:以便在将前述半导体基板装在其上面的状态下,至少在热处理温度,前述半导体基板系成为平面而在包含半导体基板中心部分的多数地方支持半导体基板的机构所构成者。5.一种承载台,系指热处理半导体基板时具有在水平方向保持前述半导体基板的构造之承载台,其特征在于:此承载台为弹性体,对于重力为向上方向呈凸状的膜状体所构成者。6.如申请专利范围第5项之承载台,其中前述承载台具有根据前述承载台之刚性、厚度及直径所设定的前述承载台周边部和中心的高度差。7.如申请专利范围第6项之承载台,其中前述承载台为和前述半导体基板同样的材料所形成,具有比前述半导体基板厚的厚度。8.如申请专利范围第6项之承载台,其中前述承载台为比前述半导体基板刚性强的材料所形成。9.如申请专利范围第8项之承载台,其中前述承载台其厚度在前述承载台面内为不均一。10.如申请专利范围第9项之承载台,其中前述承载台具有空孔部。11.如申请专利范围第5项之承载台,其中前述承载台为多数承载台部分所构成。12.如申请专利范围第11项之承载台,其中前述承载台为第一承载台部分及第二承载台部分所构成,该第一承载台部分构成前述承载台外周部分,该第二承载台部分设于此第一承载台部分内侧,为由比前述第一承载台部分热膨胀率大的材料所构成。13.一种热处理装置,系指具备保持半导体基板的保持机构和加热装在此保持机构上的半导体基板的加热器之热处理装置,其特征在于:前述保持机构具备具有在水平方向保持前述半导体基板的构造之申请专利范围第1项所载之承载台。14.一种热处理装置,系指具备保持半导体基板的保持机构和加热装在此保持机构上的半导体基板的加热器之热处理装置,其特征在于:前述保持机构具备具有在水平方向保持前述半导体基板的构造之申请专利范围第2项所载之承载台。15.一种热处理装置,系指具备保持半导体基板的保持机构和加热装在此保持机构上的半导体基板的加热器之热处理装置,其特征在于:前述保持机构具备具有在水平方向保持前述半导体基板的构造之申请专利范围第3项所载之承载台。16.一种热处理装置,系指具备保持半导体基板的保持机构和加热装在此保持机构上的半导体基板的加热器之热处理装置,其特征在于:前述保持机构具备具有在水平方向保持前述半导体基板的构造之申请专利范围第4项所载之承载台。17.一种热处理装置,系指具备保持半导体基板的保持机构和加热装在此保持机构上的半导体基板的加热器之热处理装置,其特征在于:前述保持机构具备具有在水平方向保持前述半导体基板的构造之申请专利范围第5项所载之承载台。18.一种热处理方法,其特征在于:具备在半导体基板一表面上形成在和此半导体基板之间使拉伸应力产生的膜状体之制程,及像使形成此膜状体的前述半导体基板表面对于重力向下方而前述半导体基板成为水平方向那样保持前述半导体基板而进行热处理之制程者。19.一种热处理方法,其特征在于:具备在半导体基板一表面上形成在和此半导体基板之间使压缩应力产生的膜状体之制程,及像使形成此膜状体的前述半导体基板表面对于重力向上方而前述半导体基板成为水平方向那样保持前述半导体基板而进行热处理之制程者。20.如申请专利范围第18项之热处理方法,其中使因形成前述膜状体而产生于前述半导体基板中的应力和因前述半导体基板本身之重量而产生的应力相等地设定前述膜状体的膜厚。21.如申请专利范围第19项之热处理方法,其中使因形成前述膜状体而产生于前述半导体基板中的应力和因前述半导体基板本身之重量而产生的应力相等地设定前述膜状体的膜厚。图示简单说明:第一图为显示根据本发明热处理装置第一实施形态之膜状体构造的侧面图。第二图为显示半导体基板自重的半导体基板弯曲和半导体基板直径之关系之图。第三图为显示根据本发明热处理装置第二实施形态之膜状体构造的上面图。第四图为显示根据本发明热处理装置第三实施形态之膜状体构造的上面图及侧面图。第五图为显示根据本发明第四实施形态之膜状体构造的侧面图。第六图为显示习知热处理装置构造的截面图及半导体基板的上面图。第七图为显示因半导体基板自重而在半导体基板内部产生的应力和半导体基板直径之关系之图。第八图为显示在半导体基板内部产生滑动的温度领域和半导体基板直径之关系之图。 |
