发明名称 |
具有集成器件的微电子衬底及其制造方法 |
摘要 |
一种微电子衬底,包括至少一个设置在微电子衬底核心的开口内的微电子管芯,其中在开口中未被微电子管芯占据的部分内设置了密封材料,或者在没有微电子衬底核心下密封了多个微电子管芯。然后在微电子管芯、密封材料和微电子衬底核心(如果存在的话)上制造出介质材料和导电迹线的互连层,从而形成微电子衬底。 |
申请公布号 |
CN100403534C |
申请公布日期 |
2008.07.16 |
申请号 |
CN01817381.0 |
申请日期 |
2001.10.09 |
申请人 |
英特尔公司 |
发明人 |
J·李;Q·邬;S·托勒 |
分类号 |
H01L23/538(2006.01);H01L21/48(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/538(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
章社杲 |
主权项 |
1.一种微电子衬底,包括:具有第一表面和相对的第二表面的微电子衬底核心,所述微电子衬底核心具有至少一个形成于其中的开口,其从所述微电子衬底核心的第一表面延伸到所述微电子衬底核心的第二表面;至少一个设置在所述至少一个开口内的微电子管芯,所述至少一个微电子管芯具有有效面;将所述微电子衬底核心与所述至少一个微电子管芯相连的密封材料;设于所述核心、管芯和密封材料中的至少一个之上的第一介质层,所述第一介质层包括多个第一通孔;设于所述第一介质层之上的第一多个导电迹线;设于所述第一介质层和所述第一多个导电迹线之上的第二介质层,其包括多个第二通孔;设于所述第二介质层之上的第二多个导电迹线;设于所述第二多个导电迹线之上的多个导电凸起,其中所述第一介质层、第一多个导电迹线、第二介质层和第二多个导电迹线构成互连层,所述微电子衬底还包括至少两个与所述多个导电凸起相连的微电子器件,所述至少两个微电子器件包括多种形状和尺寸。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |