实施等离子体－支持工艺的装置

摘要

实施一种等离子体-支持工艺的装置，特别是实施一种等离子体-支持的气相化学淀积的装置，其在一个真空腔中具有至少一个电磁管-电极，该电极是不平衡型号的电极并且具有一个平的电磁管-前面(20)以及与一个交变电压相连，所述电磁管-前面具有磁性相互对置的外围磁极和中间磁极。该装置还具有一个定位机构，在它的帮助下使一个基片(25)定位使其以一个待处理上表面面对电磁管-前面，此外，该装置具有一个气体输入机构来把过程气体或者过程气体混合物输入到在电磁管-前面(20)和待加工上表面之间的空腔内。为了获得最合适的工艺-效率(例如淀积速度)，在电磁管-前面(20)和待处理上表面之间的距离与由电磁管-电极(32)产生的磁场相互匹配，使得由在电磁管-前面的外围磁极至中间磁极延伸的磁场线形成的暗的通道和待处理的上表面之间分布一条可视的等离子带，其中该等离子带具有最小的宽度并且向着待处理的上表面有着均匀的亮度。在待处理的上表面和电磁管-前面之间的距离最好大于通道的高度2％至20％。本装置例如可以以二氧化硅把塑料薄膜涂层以改善薄膜的防护特性。

主权项

1.实施一种等离子体-支持工艺的装置，特别是实施一种等离子体-支持的气相化学淀积的装置，其在一个真空腔中具有一个电磁管-电极(32)、一个定位机构和一个气体输入机构，其中电磁管-电极(32)具有一个平的电磁管-前面(20)和一个产生高频交变电场的机构，所述电磁管-前面(20)具有磁性相互对置的外围磁极和中间磁极，其中装备定位机构使一个基片(25)定位使其以一个待处理的上表面指向电磁管-前面(20)，并且装备气体输入机构使一种过程气体或者一种过程气体混合物输入到电磁管-前面(20)和待处理基片之间的空腔中，其特征在于，电磁管-电极是不平衡型号的电磁管-电极并且电磁管-前面(20)和定位机构之间的距离与由电磁管-电极产生的磁场相匹配，使得由在电磁管-前面(20)的外围磁极和中间磁极之间延伸的磁场线形成的暗的通道(11)和待处理的上表面之间分布一条可视的等离子带，该等离子带具有最小的宽度但是向着待处理的上表面有着均匀的亮度。