发明名称 |
半导体装置 |
摘要 |
本发明提供一种半导体装置,可以在向负载(EL像素及信号线)供给电流的晶体管中,不受偏差的影响,供给正确的电流。借助使用放大电路的反馈电路,调节晶体管的各端子的电压。从电流源电路向晶体管输入电流Idata,利用反馈电路设定晶体管流出电流Idata所必需的栅源间电压。反馈电路,通过控制使晶体管工作于饱和区。于是,设定电流Idata流动所必需的栅电压。于是,在利用设定的晶体管时,可以向负载(EL像素及信号线)供给正确的电流。另外,在设定必需的栅电压时,因为使用放大电路,可以迅速地进行设定。 |
申请公布号 |
CN100449594C |
申请公布日期 |
2009.01.07 |
申请号 |
CN200480010494.6 |
申请日期 |
2004.04.07 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
木村肇 |
分类号 |
G09G3/32(2006.01);G05F3/24(2006.01) |
主分类号 |
G09G3/32(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
岳耀锋 |
主权项 |
1.一种半导体装置,具备:利用晶体管控制供给到负载的电流的电路,以及在从电流源电路向上述晶体管供给电流时,用来通过控制上述晶体管使其在饱和区中工作的放大电路,该放大电路连接在上述晶体管的漏端子和栅端子之间,其特征在于:上述晶体管的源端子和漏端子中的一个连接到上述电流源电路;上述晶体管的源端子和漏端子中的另一个连接到上述负载。 |
地址 |
日本神奈川 |