ゲルマニウム層の表面の平坦化方法並びに半導体構造およびその製造方法

摘要

ゲルマニウム層の表面を還元性ガスまたは不活性ガス雰囲気中において、４００℃以上かつ８５０℃以下において熱処理する工程を含むゲルマニウム層の表面の平坦化方法。ゲルマニウム層の表面を還元性ガスまたは不活性ガス雰囲気中において、４００℃以上かつ８５０℃以下において熱処理する工程と、前記熱処理された前記ゲルマニウム層の表面に、酸化ゲルマニウム膜を形成する工程と、を含む半導体構造の製造方法。表面の１μｍ×１μｍ内のＲＭＳが０．２ｎｍ以下であるゲルマニウム層を具備する半導体構造。