イメージング検出器

摘要

シリコンイメージング検出器タイル216は、複数の検出器ピクセル304を含むシリコンフォトセンサ層302を含み、各々は、複数のフォトトランジスタの各々のための電流・周波数コンバータ及びバイアス制御器404を含む、シリコンフォトセンサ層に結合される、シリコン電子層314及びフォトトランジスタ406を備える。方法は、X線放射がない場合、イメージング検出器のシリコンフォトセンサ層の検出器ピクセルのフォトトランジスタにより、暗電流を検出するステップと、バイアス制御部により、シリコンフォトセンサ層に結合されるシリコン電子層の電流・周波数コンバータに送られる暗電流の量を調整するステップと、電流・周波数コンバータにより、電流・周波数コンバータに送られる暗電流の量を変換するステップとを含む。