| 发明名称 |
Method of making a semiconductor device |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US3239908(A) |
申请公布日期 |
1966.03.15 |
| 申请号 |
US19620207242 |
申请日期 |
1962.07.03 |
| 申请人 |
NIPPON ELECTRIC COMPANY LIMITED |
发明人 |
NAKAMURA TETSURO |
| 分类号 |
H01L21/18;H01L21/60;H01L21/762;H01L27/06 |
主分类号 |
H01L21/18 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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