发明名称 Process for dividing a single semiconductor crystal into wafers.
摘要 Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Zerteilen eines, insbesondere stabförmigen Halbleiterkristalls in Scheiben, bei dem der Halbleiterkristall mit einer von Streifen unterbrochenen Maskierschicht aus nichtleitendem Material versehen wird, anschließend als Anode vorgespannt und in einen mit einer als Kathode wirkenden Elektrode versehenen Elektrolyten getaucht wird und bei dem dann die in den nicht maskierten Bereichen des Halbleiterkristalls entstehenden Oxidschichten mechanisch entfernt werden.
申请公布号 EP0045446(A1) 申请公布日期 1982.02.10
申请号 EP19810105801 申请日期 1981.07.22
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 KOLBESEN, BERND, DR.
分类号 H01L21/304;B28D5/00;C25D11/32;C30B33/00;H01L21/3063;(IPC1-7):H01L21/30;C23F1/04 主分类号 H01L21/304
代理机构 代理人
主权项
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