Zweikanalige EEPROM-Grabenspeicherzelle auf SOI und Verfahren zur Herstellung derselben,申请号DE19951011846-传众专利搜索

发明名称	Zweikanalige EEPROM-Grabenspeicherzelle auf SOI und Verfahren zur Herstellung derselben
摘要
申请公布号	DE19511846(C2)	申请公布日期	1997.09.18
申请号	DE19951011846	申请日期	1995.03.31
申请人	INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORP., ARMONK, N.Y., US	发明人	ACOVIC, ALEXANDRE, MOHEGAN LAKE, N.Y., US;WU, BEN SONG, YORKTOWN HEIGHTS, N.Y., US
分类号	H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8247;H01L27/115;H01L27/12;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L27/115;H01L21/824	主分类号	H01L21/28
代理机构		代理人
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