半导体装置以及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置，其中系减少一周边电路区相对于一像素区之面积，并提供一种半导体装置之制造方法。依据本发明之一种半导体装置的特征为具有：一像素区1、一周边电路区2a至2c，其系配至于像素区的周边之至少一部分中、及一布线，其系形成于周边电路区中，且特征为具有一以两或更多层形成多层之布线。多层布线之至少一层系形成自一低电阻材料。电晶体被形成于周边电路区中，而具有两或更多层之多层布线被形成于电晶体之上侧上。