发明名称 矽晶圆及其制造方法
摘要 一种矽晶圆,其碳浓度系为5×1015~5×1017atoms/cm3,晶格间氧浓度系为6.5×1017~13.5×1017atoms/cm3,电阻率系为100Ωcm以上。
申请公布号 TW200736423 申请公布日期 2007.10.01
申请号 TW096103019 申请日期 2007.01.26
申请人 上睦可股份有限公司 发明人 栗田一成
分类号 C30B33/02(2006.01);C30B29/06(2006.01) 主分类号 C30B33/02(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本