| 发明名称 |
经砷及磷掺杂之具内部去疵之矽晶圆基材 |
| 摘要 |
本发明系关于一种用于制备低电阻率之经砷或磷掺杂之(N+/N++)矽晶圆的方法，基本上在任何任意电子装置制造过程之热处理循环期间，该等矽晶圆可靠地形成氧沉淀。 |
| 申请公布号 |
TW200736422 |
申请公布日期 |
2007.10.01 |
| 申请号 |
TW095141552 |
申请日期 |
2006.11.09 |
| 申请人 |
MEMC电子材料公司 |
发明人 |
罗伯特J 法斯特;瓦帝莫尔 瓦诺库夫;贾伯里拉 柏恩里提 |
| 分类号 |
C30B33/02(2006.01);C30B29/06(2006.01) |
主分类号 |
C30B33/02(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 |
