多室基材处理系统中执行的整合原位蚀刻工艺

摘要

一种整合原位蚀刻工艺，在具有第一和第二蚀刻反应室的多反应室基材处理系统中执行。在一个实施例中，第一反应室包含一被粗糙化至至少100R_a的内表面，并且第二反应室包含粗糙度小于约32R_a的内表面。该工艺包括传送一由上至下形成有图案化的光刻胶掩模、介电层、阻挡层以及位于基材内欲被接触的特征在其上的基材至第一反应室中，在此介电层以一可助长聚合物形成在反应室的粗糙化内表面上的工艺来蚀刻。然后，该基材在真空环境下从第一反应室传送至该第二反应室，并且在第二反应室内被暴露在反应性等离子体中，例如氧气，以去除沉积在基材上的光刻胶掩模。在光刻胶掩模被去除之后，阻挡层在多反应室基材工艺系统的第二反应室中利用可防止聚合物形成在第二反应室的相对平滑内表面上的工艺来蚀穿至该欲被接触的特征。三个蚀刻步骤皆在一系统级原位工艺中执行，因此基材不会在步骤之间被暴露于环境中。在某些实施例中，第一反应室内表面的粗糙度介于100和200R_a之间，而在其它实施例中，第一反应室内表面的粗糙度介于110和160R_a之间。

主权项

1. 一种在具有第一和第二反应室的多反应室基材工艺系统中执行的整合蚀刻工艺，该工艺包含：将基材传送到第一反应室中，其中基材由上至下形成有图案化的光刻胶掩模、介电层以及阻挡层；在第一反应室中蚀刻介电层以将图案转移至介电层内，其中蚀刻工艺以一种可促进聚合物形成在第一反应室内表面上的模式来执行；在真空状态下将基材从第一反应室传送至第二反应室；以及在第二反应室中，去除光刻胶掩模然后在将基材暴露在环境中之前先行蚀刻阻挡层，其中阻挡层蚀刻工艺在一种可以防止聚合物形成在第二反应室内表面上的模式来执行。