| 发明名称 | SOI晶片的制造方法及SOI晶片 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种SOI晶片的制造方法，该方法至少从硅晶片一边的主表面，注入氧离子以形成氧离子注入层后，对该硅晶片进行将上述氧离子注入层变成埋入式氧化膜的氧化膜形成热处理，以在埋入式氧化膜上制造具有SOI层的SOI晶片，其中，在上述硅晶片形成埋入式氧化膜时，是将其膜厚形成比上述制成的SOI晶片的埋入式氧化膜更厚，其后，在形成有该埋入式氧化膜的硅晶片上，进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理。通过这种方式，可提供一种SOI晶片的制造方法，其可利用SIMOX法制造高品质的SOI晶片，而该SOI晶片具有膜厚较薄且完全性高的埋入式氧化膜，且SOI层的结晶性及表面质量极好。 | ||
| 申请公布号 | CN100418194C | 申请公布日期 | 2008.09.10 |
| 申请号 | CN200480003455.3 | 申请日期 | 2004.02.13 |
| 申请人 | 信越半导体股份有限公司 | 发明人 | 横川功;阿贺浩司;高野清隆;三谷清 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01);H01L27/12(2006.01) | 主分类号 | H01L21/265(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 高龙鑫;王颖 |
| 主权项 | 1. 一种SOI晶片的制造方法，该方法至少从硅晶片一边的主表面，注入氧离子以形成氧离子注入层后，对该硅晶片进行将上述氧离子注入层变成埋入式氧化膜的氧化膜形成热处理，以在埋入式氧化膜上制造具有SOI层的SOI晶片，其特征为：在上述硅晶片形成埋入式氧化膜时，是将其膜厚形成为比上述制成的SOI晶片的埋入式氧化膜更厚，其后，对该硅晶片进行埋入式氧化膜的内部氧化处理，然后，在形成有该埋入式氧化膜的硅晶片上，进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理，由此，形成厚度为100nm以下的埋入式氧化膜。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||