| 摘要 |
본 설명의 나노와이어 트랜지스터는 그 제조 동안 희생 스페이서들을 사용하는 것에 의해 형성되는 내부 스페이서들에 의해 형성될 수 있다. 일단 나노와이어 트랜지스터가 형성되면, 트랜지스터 게이트와 소스 및 드레인들 (각각) 사이에 배치된, 희생 스페이서들은 제거될 수 있다. 나노와이어 트랜지스터의 채널 나노와이어들 사이의 희생 재료가 그리고 나서 제거될 수 있고, 유전체 재료가 채널 나노와이어들 사이의 스페이스들을 채우기 위해 퇴적될 수 있다. 채널 나노와이어들 사이에 있지 않은 유전체 재료는 내부 스페이서들을 형성하기 위해 제거될 수 있다. 트랜지스터 게이트와 소스 및 드레인들 (각각) 사이에 배치되는 외부 스페이서들은 그리고 나서 내부 스페이서들 및 트랜지스터 채널 나노와이어들에 인접하여 형성될 수 있다. |
