| 摘要 |
리드 프레임은, 반도체 소자를 탑재하는 표면과 외부 기판과 접속하는 이면를 가진 기재, 및 후막 부분과 박막 부분을 지닌 Ni 도금층으로 이루어진다. 후막 부분은 기재의 이면에 형성되어 있고, 박막 부분은 기재의 표면의 전체면 혹은 일부에 형성되어 있다. 후막 부분은 2.5 내지 5㎛의 두께를 지니고 있고, 박막 부분은 후막 부분보다 0.5 내지 2㎛ 얇은 것이 바람직하다. 이러한 리드 프레임은, 금속제 기재의 표리면에 Ni 도금층을 형성하고, 기재의 표면 쪽만의 Ni 도금층을 에칭처리함으로써 생산성을 떨어뜨리는 일없이 얻을 수 있다. |
