一种饱和度可调控的SiO₂胶体晶体彩虹膜的制备方法

摘要

本发明涉及一种饱和度可调控的SiO₂胶体晶体彩虹膜的制备方法，属于光子晶体结构色制备技术领域。取平均粒径为340±10nm SiO₂微球，配制成一定浓度的SiO₂胶体溶液，超声分散。将清洗过的基片垂直固定在超声分散的SiO₂胶体溶液中，放入烘箱中缓慢干燥。采用真空离子喷涂镀膜机在组装好的SiO₂胶体晶体膜表面镀厚度为5-25nm的铂金膜，通过对铂金膜厚度的定量控制来改变光子禁带的反射率，实现对SiO₂胶体晶体彩虹膜饱和度的调控。

主权项

一种饱和度可调控的SiO₂胶体晶体彩虹膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)取平均粒径为340±10nm的SiO₂微球，放入乙醇中搅拌均匀，配制成1‑3wt％SiO₂胶体溶液，超声分散2‑4h；(2)用去离子水清洗基片，分别在去离子水和乙醇中超声清洗30‑90min后烘干备用，将清洗过的基片垂直固定在已超声分散的SiO₂胶体溶液中，将其移入干燥箱，干燥时间为24‑30h，干燥温度为40‑65℃，缓慢烘干得到组装好的SiO₂胶体晶体膜；(3)将从烘箱中取出的已经组装好的SiO₂胶体晶体膜放入真空离子喷涂镀膜机中镀铂金膜，设置镀膜电流为10mA，镀膜时间为50‑100s之间，使得SiO₂胶体晶体膜表面的铂金膜厚度控制在5‑25nm之间。