| 主权项 |
1.一种静态随机存取记忆体中之位元线预充电电路,该静态随机存取记忆体包括复数个位元线对、一连接于每一对位元线间之记忆单元、以及用以侦测外加位址讯号之转移以产生侦测脉冲讯号之位址转移侦测电路,该位元线预充电电路包括:一位元线控制讯号产生器,用以藉由读取与写入操作中相同或不同位准下连接于来源电压与接地电压间之阻抗比之决定而产生位元线控制讯号;以及复数个预充电电晶体,具有落于来源电压与位元线对间之通道,且其闸极受该位元线控制讯号所控制。2.根据申请专利范围第1项之位元线预充电电路,其中该等阻抗系由电阻器所得。3.根据申请专利范围第1项之位元线预充电电路,其中该等预充电电晶体为PMOS电晶体。4.一种静态随机存取记忆体中之位元线预充电电路,该静态随机存取记忆体包括复数个位元线对、一连接于每一对位元线间之记忆单元、以及用以侦测外加位址讯号之转移以产生侦测脉冲讯号之位址转移侦测电路,该位元线预充电电路包括:一位元线控制讯号产生器,用以产生位元线控制讯号,其范围在来源电压与接地电压减去临界电压所得之电压内;以及复数个预充电电晶体,具有落于来源电压与位元线对间之通道,且其闸极受该位元线控制讯号所控制。5.根据申请专利范围第4项之位元线预充电电路,其中该位元线控制讯号产生器进一步包括具有落于来源电压与接地电压间之通道之第一至第三电晶体,具有连接于连接该第二电晶体汲极与该第三电晶体源极之位元线控制讯号节点及该接地电压间之通道之第一与第二NMOS电晶体,其中该第一电晶体之闸极与该第二电晶体之源极相连,且该侦测脉冲讯号被供至连接该第二与第三电晶体闸极之节点。6.根据申请专利范围第4项之位元线预充电电路,其中该第一与第二电晶体为PMOS电晶体,而该第三电晶体为NMOS电晶体。图示简单说明:第一A、一B与一C图绘示传统位元线控制讯号产生与预充电控制电路;第二图为用以绘示第一图之各种控制讯号之时序图;第三A、三B与三C图绘示具发明性位元线控制讯号产生与预充电控制电路;第四图为绘示根据本发明位元线控制讯号产生器之图;以及第五图为用以绘示根据本发明所产生之各种控制讯号之时序图。 |
