发明名称 Surface Acoustic Wave Device and Surface Acoustic Wave Biosensor
摘要 표면탄성파 디바이스에 관한 기술로서, IDT 전극의 표면에 산화물 박막 및 소수성 박막을 형성함으로써, IDT 전극 간 단락을 방지할 수 있고 내전력성을 가지며, 대기, 수분, Cl 이온 등에 의한 부식 및 이에 따른 발진성능 저하를 방지할 수 있다.
申请公布号 KR101644165(B1) 申请公布日期 2016.07.29
申请号 KR20090091060 申请日期 2009.09.25
申请人 삼성전자주식회사 发明人 조은철;이헌주;이수석
分类号 G01N33/48;G01N33/53;H03H9/145 主分类号 G01N33/48
代理机构 代理人
主权项
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