Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung

摘要

Eine Halbleitervorrichtung (100) umfasst ein n-leitendes Halbleitersubstrat (1) aus Siliziumkarbid, eine n-leitende Halbleiterschicht (2), einen p-leitenden Basis-Bereich (4), einen n-leitenden Source-Bereich (6), einen p-leitenden Kontaktbereich (7), einen Gate-Isolierfilm (9), eine Gate-Elektrode (10) und eine Source-Elektrode (13). Die Halbleitervorrichtung (100) weist eine Drain-Elektrode (12) auf einer Rückseite des Halbleitersubstrats (1) auf. Auf einer Rückseite der Gate-Elektrode (10) ist ein Zwischenschicht-Isolierfilm (11) angeordnet. Der Zwischenschicht-Isolierfilm (11) weist eine Vielzahl von Schichten auf, von denen eine Schicht aus einem Siliziumnitridfilm (11b) gebildet ist. Mit solch einer Struktur kann eine Verschlechterung der Eigenschaften der Halbleitervorrichtung unterdrückt werden. Ferner können Steigerungen in der Anzahl von Verfahrensschritten bei der Herstellung unterdrückt werden.