| 摘要 |
La présente invention a trait à un procédé de photolithographie amélioré, particulièrement adapté aux techniques de lithographie optique à haute résolution utilisant les raies g, h et i du spectre du mercure et les UV à courte longueur d'onde, comprenant, préalablement au dépôt de la résine photosensible sur la couche de matériau à lithographier, la formation d'une couche poreuse anti-réflective au sein même de ladite couche à lithographier et à la surface de celle-ci.
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