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2012121.一种积体电路之制造方法,包括下列步骤:a.在一p型矽基底上方形成一闸极氧化层;b.在该闸极氧化层上方形成一第一复晶矽层;c.在该p型矽基底中定义出源极/汲极区,且在该源极/汲极区位置形成复数个渠沟;d.在该复数个渠沟中填入金属钨以形成源极/汲极区;e.在该第一复晶矽层上方形成一第二复晶矽层;f.在该源极/汲极区上方形成复数个绝缘层;g.在该第二复晶矽层与该绝缘层上方形成一第三复晶矽层;h.定义该第三复晶矽层,形成一闸极。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤b中之该第一复晶矽层的厚度约是500A。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤c中之该复数个渠沟的深度是介于0.12m-O.15m之间。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤e中之该第二复晶矽层的厚度约是1000A。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中步骤e中是以磊晶方式形成该第二复晶矽层。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤f中之该复数个绝缘层的厚度约是200A-300A。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该复数个绝缘层是以低压四乙氧基矽甲烷/臭氧制成。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该复数个绝缘层是以硼磷矽玻璃制成。9.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该复数个绝缘层是以磷矽玻璃制成。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤g中之该第三复晶矽层的厚度是介于1000A-1500A之间。图式简单说明:第1图绘示的是一种传统平坦式光罩唯读记忆体的部份剖面示意图;第2a至2e图是根据本发明之一较佳实施例,一种具有埋入式位元线的平坦式光罩唯读记忆体的部份剖面制造流程图。 |
