| 摘要 |
Composant semiconducteur destiné à la protection de circuits électriques contre des surtensions et surintensités, notamment dues à la foudre. Pour améliorer les conditions d'amorçage de ce composant, quelle que soit la forme d'onde de la surtension apparaissant entre bornes, on prévoit une structure concentrique avec une diode zener (zone A) au centre d'un thyristor auxiliaire (zone B), lui-même au centre d'un thyristor principal (zone A). En présence d'une surtension, la diode zener conduit et établit un courant de gâchette pour le thyristor auxiliaire et le thyristor principal. Le thyristor auxiliaire se déclenche avant le thyristor principal et fournit un courant à forte pente de croissance qui favorise l'amorçage uniforme du thyristor principal. Ce principe s'étend à des structures bidirectionnelles. |
