| 主权项 |
1.一种双层粗糙氧化层制法,系用来增加DRAM电容面积,其特征在于:于矽基底上形成氧化层,且该氧化层为热氧化层,PE TEOS、TEOS成长之磷玻璃之一种;之后,再沈积O3/TEOS而构成双层粗糙氧化层构造,其中O3/TEOS之表面具有岛状结构。2.如申请专利范围第一项所述之双层粗糙氧化层制法,其中完成O3/TEOS沈积后,再依序沈积复晶矽,ONO(Oxide-Nitride-Oxide),及复晶矽完成半导体电容器之结构。3.如申请专利范围第一项所述之双层粗糙氧化层制法,系用来增加光电元件之吸光量, 其中完成O /TEOS沈积后,再依序沈积P型磊晶矽及N型磊晶矽,或者依序沈积一金属及矽 磊晶层而完成光侦测器之结构。4.一种做为增加DRAM电容面积之双层粗糙氧化层结构,其特征在于:一矽基底;一于矽基底上之氧化层,且该氧化层为热氧化层,PE TEOS、TEOS成长之磷玻璃之一种;一位于前述氧化层上之O3/TEOS,其中O3/TEOS表面具有岛状结构。5.如申请专利范围第四项所述之双层粗糙氧化层结构,其中更包含:一位于粗糙氧化层上之复晶矽层;一位于前述复晶矽层上之ONO层;一位于ONO层上之复晶矽层,以构成DRAM电容器。6.如申请专利范围第四项所述之双层粗糙氧化层结构,其中更包含:一位于粗糙氧化层上之第一导电型矽层;一位于第一导电型矽层上之第二导电型矽层,以构成光侦测器结构。7.如申请专利范围第四项所述之双层粗糙氧化层结构,其中更包含:一位于粗糙氧化层上之金属层;一位于金属层上之矽层,以构成光侦测器结构。图式简单说明:第一图为复晶矽沈积在平坦氧化层之SEM图。第二图为复晶矽沈积在O3/TEOS与PE TEOS构成之双层粗糙氧化层之SEM图。 |
