| 发明名称 |
Narrow radius tips for high voltage semiconductor devices with interdigitated source and drain electrodes |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US5258636(A) |
申请公布日期 |
1993.11.02 |
| 申请号 |
US19910808024 |
申请日期 |
1991.12.12 |
| 申请人 |
POWER INTEGRATIONS, INC. |
发明人 |
RUMENNIK, VLADIMIR;BUSSE, ROBERT W. |
| 分类号 |
H01L29/06;H01L29/417;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/80;H01L29/520;H01L29/784 |
主分类号 |
H01L29/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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