发明名称 最佳探测模式之探测方法及装置
摘要 本发明,系关于检查形成在半导体晶片上的尖塞端之良否的探测器之,最佳探测模式之探测方法及装置。本发明之目的,系提供使由探测器进行的探测区域之设定,仅在晶片的电极垫形成部进行,而提供能设法把探针保护的最佳探测模式设定方法。本发明,系在晶片上形成矩阵的多数晶方中每多数之尖塞端使具有一组的测定用波道之探测卡移动而检查的多道型的检查机构,在使上述一组的测定用波道之所有波道一定会在测定其中一个尖塞端的位置之模式,由使上述探测卡移动,防止探针会进入半导体晶片的端部之递变面,而受损。
申请公布号 TW337603 申请公布日期 1998.08.01
申请号 TW086112837 申请日期 1997.09.05
申请人 东京电子股份有限公司 发明人 深泽幸彦
分类号 H01L21/66 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种最佳探测模式之探测方法,其特征为,具备:有多数的探测,使具有多数之把形成在半导体晶片上之一个尖塞端的电信号经由该探针取出之测定用波道的探测卡,以上述一组之测定用波道的全部波道之探测一定在和其中的一个尖塞端接触之位置的模式使前述探测卡依次移动;及在前述探测卡依次移动的位置,由前述一组之测定用波道,检查形成在前述晶片上的多数之尖塞端.的步骤者。2.如申请专利范围第1项的最佳探测模式之探测方法,其中,对形成在半导体晶片上的多数之尖塞端的各尖塞端之检查,关于探针将只接触一次的尖塞端,将以接触进行该尖塞端之检查,关于探针将接触多数次的尖塞端,将使用此等多数次之接触内的一个,进行该尖塞端之检查。3.如申请专利范围第1项之最佳探测模式之探测方法,其中,关于探针将只接触一次的尖塞端,将由该接触进行检查该尖塞端,关于探针将接触多数次的尖塞端,将由此等多数次之接触内的最后接触,进行该尖塞端之检查。4.如申请专利范围第1项的最佳探测模式之探测方法,其中,把向倾斜45度方向排列成直线性的多数之尖塞端做为一组,以前述一组的测定用波道,同时检查。5.如申请专利范围第1项的最佳探测模式之探测方方法,其中,关于设在前述探测卡的前述一组之测定用波道中的一个特定波道,由指示在前述半导体上应依次移动之位置而设定前述模式者。6.一种由最佳探测模式之探测装置,其特征为具备:有多数的探测,和有多数之将形成在半导体晶片上之一个尖塞端之电信号经由该探针取出的测定波道之一组测定用波道的探测卡;和以前述探测卡之前述测定用波道的全部波道一定会在与其中之一个尖塞端接触的位置之模式指示前述探测卡将依次移动的位置之装置;和根据从前述指示位置的装置之指示,使前述探测卡在前述晶片上依次移动之装置;和把前述探测卡接触的尖塞端内应检查之尖塞端的位置做为资讯传达之装置;及根据从前述传达的装置所传达之前述资讯把尖塞端检查的测试器。7.如申请专利范围第6项的最佳探测模式之探测装置,其中,前述传达的装置为,关于探针将接触一次之尖塞端,将由该接触检查该尖塞端,关于探针将接触多数次的尖塞端,将由此等多数次之接触内的一个实施检查之装置者。8.如申请专利范围第6项的最佳探测模式之探测装置,其中,前述传达装置为,关于探针将只接触一次之尖塞端,将由该接触检查该尖塞端,关于探针将接触多数次的尖塞端,将由此等多数次之接触内的最后之接触实施检查的装置。9.如申请专利范围第6项的最佳探测模式之探测装置,其中,前述探测卡,具有各测定用波道向倾斜45度方向直线地排列一组测定用波道者。10.如申请专利范围第6项的最佳探测模式之探测装置,其中,前述指示位置的装置,为关于前述设在探测卡之前述一组的测定用波道中之一个特定波道,由指示在前述半导体上应依次移动的位置,使前述探测卡依次移动之装置。11.如申请专利范围第6项的最佳探测模式之探测装置,其中,前述指示位置的装置,具备输入指定前述指示之位置的资讯而记忆之记忆装置。12.如申请专利范围第6项的最佳探测模式之探测装置,其中,前述传达装置,具备有探针和尖塞端在前述所指示的前述位置接触时,由内部运算制成指定关于那一个尖塞端实施检查的资讯,而予以记忆之装置者。13.如申请专利范围第6项的最佳探测模式之探测装置,其中,前述传达装置,具备有,制成指定前述指示的位置之资讯,予以记忆之记忆装置,和探针与尖塞端在前述所指示的前述位置接触时,把指定关于那一个尖塞端实施检查之资讯由内部运算制成,而予以记忆之装置。图式简单说明:第一图,为显示关于本发明的一实施形态之探测装置的概略构成之方块图。第二图,为显示关于同实施形态的晶片之检查领域的状态之图。第三图,为显示使用者输入资讯之图。第四图,为显示在习知的探测装置之探针的状态之图。第五图,为显示和习知的探测装置之探针的状态之图。第六图,为显示多道型的探测卡之图。
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