Source-down field-effect transistor,申请号EP19980966210-传众专利搜索

发明名称	Source-down field-effect transistor
摘要
申请公布号	EP0966764(A1)	申请公布日期	1999.12.29
申请号	EP19980966210	申请日期	1998.12.15
申请人	SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT	发明人	TIHANYI, JENOE;WERNER, WOLFGANG
分类号	H01L29/78;H01L21/18;H01L21/336;H01L29/40;H01L29/417;H01L29/423;(IPC1-7):H01L29/78;H01L21/20	主分类号	H01L29/78
代理机构		代理人
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