| 主权项 |
1.一种形成金属凸块之方法,其步骤至少包含: 提供一基板,其中该基板上具有复数个导电焊垫; 形成一第一光阻层于该基板上,其中该第一光阻层 覆盖该些导电焊垫; 实施一平坦化(Planarization)步骤,以移除部分该第一 光阻层至暴露出该些导电焊垫; 形成一导电层于该第一光阻层以及该些导电焊垫 之上; 电镀一金属层于该导电层上; 形成一图案化之第二光阻层于该金属层上; 以该图案化之第二光阻层为遮罩(Mask)移除未被该 图案化之第二光阻层所覆盖之该金属层与该导电 层; 移除该图案化之第二光阻层;以及 形成一防焊层于该基板上,其中该防焊层具有复数 个开口以露出位于该些导电焊垫上之该金属层。 2.如申请专利范围第1项所述之形成金属凸块之方 法,更至少包含: 形成一保护层于该露出之该金属层上。 3.如申请专利范围第2项所述之形成金属凸块之方 法,其中该保护层之材质系至少选自于由金、镍、 铜、银、锡、铅、铋、钯、铝、铁、镉、锌以及 其组合物所组成之一族群。 4.如申请专利范围第2项所述之形成金属凸块之方 法,其中该保护层至少包含有机保焊剂(OSP)。 5.如申请专利范围第1或2项所述之形成金属凸块之 方法,其中该基板为一印刷电路板。 6.如申请专利范围第1或2项所述之形成金属凸块之 方法,其中该形成该第一光阻层的方法至少选自于 由刮刀涂布(Blade coating)、滚轮涂布(Roller coating)、 喷洒涂布(Spray coating)、帘幕式涂布(Curtain coating) 以及旋转涂布(Spin coating)所组成之一族群。 7.如申请专利范围第6项所述之形成金属凸块之方 法,其中该第一光阻层至少包含液态之有机膜或无 机膜。 8.如申请专利范围第1或2项所述之形成金属凸块之 方法,其中该形成该第一光阻层的方法至少包含热 压膜法或真空压膜法。 9.如申请专利范围第8项所述之形成金属凸块之方 法,其中该第一光阻层至少包含固态之有机膜或无 机膜。 10.如申请专利范围第1或2项所述之形成金属凸块 之方法,其中该形成该第一光阻层的步骤更包含一 硬化处理。 11.如申请专利范围第1或2项所述之形成金属凸块 之方法,其中该实施该平坦化步骤系使用砂带研磨 机。 12.如申请专利范围第11项所述之形成金属凸块之 方法,其中该砂带研磨机系使用含有金刚砂之砂带 。 13.如申请专利范围第1或2项所述之形成金属凸块 之方法,其中该实施该平坦化步骤系使用刷轮研磨 机。 14.如申请专利范围第13项所述之形成金属凸块之 方法,其中该刷轮研磨机系使用不织布刷轮或陶瓷 刷轮。 15.如申请专利范围第1或2项所述之形成金属凸块 之方法,其中该形成该导电层之方法系至少选自于 由真空溅镀、电镀、化学沉积以及无电解电镀所 组成之一族群。 16.如申请专利范围第1或2项所述之形成金属凸块 之方法,其中该导电层之材质系至少选自于由金、 镍、铜、银、锡、铅、铋、钯、铝、铁、镉、锌 以及其组合物所组成之一族群。 17.如申请专利范围第1或2项所述之形成金属凸块 之方法,其中该电镀该金属层的方法至少包含垂直 电镀或水平电镀。 18.如申请专利范围第1或2项所述之形成金属凸块 之方法,其中该金属层之材质系至少选自于由铜、 银、锡、铅、铋以及其组合物所组成之一族群。 19.如申请专利范围第1或2项所述之形成金属凸块 之方法,其中该图案化之第二光阻层为乾膜或有机 膜(Organic film)。 20.如申请专利范围第1或2项所述之形成金属凸块 之方法,其中该形成该图案化之第二光阻层的步骤 至少包含: 形成一第二光阻层于该金属层上; 实施一曝光显影步骤于该第二光阻层上;以及 移除该第二光阻层之一部份以形成该图案化之第 二光阻层。 21.如申请专利范围第20项所述之形成金属凸块之 方法,其中该形成该第二光阻层的方法至少选自于 由印刷(Printing)、滚轮涂布、喷洒涂布、帘幕式涂 布以及旋转涂布所组成之一族群。 22.如申请专利范围第20项所述之形成金属凸块之 方法,其中该曝光显影步骤之光源至少包含紫外光 (UV)或雷射光。 23.如申请专利范围第20项所述之形成金属凸块之 方法,其中该移除该第二光阻层的方法至少包含浸 泡或喷洒。 24.如申请专利范围第20项所述之形成金属凸块之 方法,其中该移除该第二光阻层系使用一无机溶液 ,该无机溶液至少包含氢氧化钠(NaOH)或氢氧化钾( KOH)。 25.如申请专利范围第20项所述之形成金属凸块之 方法,其中该移除该第二光阻层系使用一有机溶液 ,该有机溶液至少选自于由丙酮(Acetone)、甲基咯 烷酮(NMP)、二甲基亚(DMSO)、氨基乙氧基乙醇(AE) 、二甲基胺(DMA)、二甲基甲醯胺(DMF)以及四氢喃 (THF)所组成之一族群。 26.如申请专利范围第1或2项所述之形成金属凸块 之方法,其中该移除该图案化之第二光阻层的方法 至少包含浸泡或喷洒。 27.如申请专利范围第1或2项所述之形成金属凸块 之方法,其中该移除该图案化之第二光阻层系使用 一无机溶液,该无机溶液至少包含氢氧化钠或氢氧 化钾。 28.如申请专利范围第1或2项所述之形成金属凸块 之方法,其中该移除该图案化之第二光阻层系使用 一有机溶液,该有机溶液至少选自于由丙酮、甲基 咯烷酮、二甲基亚、氨基乙氧基乙醇、二甲 基胺、二甲基甲醯胺以及四氢喃所组成之一族 群。 29.如申请专利范围第1或2项所述之形成金属凸块 之方法,其中该防焊层为绿漆。 30.如申请专利范围第1或2项所述之形成金属凸块 之方法,其中该形成该防焊层的方法至少选自于由 印刷、滚轮涂布、喷洒涂布、帘幕式涂布以及旋 转涂布所组成之一族群。 31.如申请专利范围第30项所述之形成金属凸块之 方法,其中该防焊层至少包含液态之有机膜或无机 膜。 32.如申请专利范围第1或2项所述之形成金属凸块 之方法,其中该形成该防焊层的方法至少包含热压 膜法或真空压膜法。 33.如申请专利范围第32项所述之形成金属凸块之 方法,其中该防焊层至少包含固态之有机膜或无机 膜。 图式简单说明: 第1A图至第1E图系绘示习知之形成金属凸块之制造 方法的流程剖面示意图;以及 第2A图至第2F图系绘示本发明之一较佳实施例之形 成金属凸块之方法的流程剖面示意图。 |
