| 主权项 |
1.一种氮化矽膜制作装置, 在连接有排气系统和气体供给系统的真空容器内, 配置发热体和基板; 维持所述发热体在预定温度,分解或活化由所述气 体供给系统供给的原料气体; 使氮化矽膜堆积在基板表面,其特征是: 在所述真空容器内部,配置用以包围所述发热体和 基板之上部全体及侧面的内壁,形成成膜空间; 设置将原料气体输入所述成膜空间的气体输入机 构;同时 设置所述内壁的加热机构和/或冷却机构,形成将 所述内壁温度控制在预定値的结构。 2.如申请专利范围第1项之氮化矽膜制作装置,其中 ,所述内壁和所述真空容器通过内壁支持部相连, 两者可以独立地控制温度。 3.如申请专利范围第1项之氮化矽膜制作装置,其中 ,所述内壁系连接着第1内壁和第2内壁,形成通过所 述连接部支撑的结构。 4.如申请专利范围第2项之氮化矽膜制作装置,其中 ,所述内壁系连接着第1内壁和第2内壁,形成通过所 述连接部支撑的结构。 5.如申请专利范围第1至4项中任一项之氮化矽膜制 作装置,其中,所述内壁的内面形状形成为弯曲形 状,使来自所述发热体的辐射热量在各部分大致相 同的形状。 6.如申请专利范围第1至4项中任一项之氮化矽膜制 作装置,其中,所述内壁的冷却机构是安装在所述 连接部的环状的冷却机构。 7.如申请专利范围第1至4项中任一项之氮化矽膜制 作装置,其中,所述气体输入机构具有向与所述基 板相对的内壁方向喷出的结构。 8.一种氮化矽膜制作方法, 在连接有排气系统和气体供给系统的真空容器内, 配置发热体和基板; 维持所述发热体在预定温度,然后分解或活化从所 述气体供给系统供给的原料气体; 使氮化矽膜堆积在基板表面,其特征是: 在所述真空容器内部,配置用以包围所述发热体和 基板之上部全体及侧面的内壁,形成成膜空间用以 加热所述基板,并且控制所述内壁在预定的温度的 同时,将原料气体输入所述成膜空间,进行氮化矽 薄膜的堆积。 9.如申请专利范围第8项之氮化矽膜制作方法,其中 ,具有向与所述基板相对的内壁方向喷出原料气体 的结构,所述成膜空间的压力控制在0.1 ~10Pa。 10.如申请专利范围第8或9项之氮化矽膜制作方法, 其中,所述基板自所述内壁加热至高温。 图式简单说明: 图1表示本发明的氮化矽膜制作装置的一例的概略 剖面图。 图2为生产装置的一例示意图。 图3为现有的氮化矽膜制作装置的概略剖面图。 |
