半导体矽基板之截角部的研磨方法

摘要

本发明之目的在于提供一种能对底面具有氧化矽层之半导体矽基板同时作上述氧化矽层之截角加工以及截角部之镜面研磨加工的半导体矽基板之截角部的研磨方法。其系相对于安装于研磨装置之回转研磨轮２之轴心将回转中之半导体矽基板１以既定之截角θ压向研磨轮２，进行一侧之截角部的镜面研磨后，将上述半导体矽基板１反转，作另一侧之截角部的镜面研磨。使用之研磨液的胶质氧化矽之平均粒径为50～150 nm， pH 值为10～11，在20℃之比重为1～1.5，浓度为30～50wt％，由于研磨粒径及研磨粒子数增加，说是化学研磨倒不如说是机械研磨为主。因此，以往认为很困难之氧化矽层的端角部份的去除加工变成容易。亦可于研磨轮之外周设置与上述基板之截角部形状对应之沟，将基板压向该沟，以便同时作两面研磨加工。

主权项

1.一种半导体矽基板之截角部的研磨方法,其系用来对具有氧化矽层及/或可去除杂质外侧层之半导体矽基板的周缘之截角部作镜面研磨之方法,其特征在于:将半导体矽基板及研磨轮回转,同时将上述半导体矽基板之周缘部压向研磨轮,并对研磨部份供给含有胶质氧化矽之研磨液,以便对上述截角部作镜面研磨;且构成前述研磨液之胶质氧化矽的平均粒径为50-150nm,研磨液之pH値为10-11,20℃之比重为1-1.5,浓度为30-50wt%。2.如申请专利范围第1项之半导体矽基板之截角部的研磨方法,其系用来对具有氧化矽层及/或可去除杂质外侧层之半导体矽基板的周缘之截角部作镜面研磨之方法,其特征在于:将半导体矽基板及研磨轮回转,同时将上述半导体矽基板之周缘部压向研磨轮,并对研磨部份供给含有胶质氧化矽之研磨液,以便对上述截角部作镜面研磨;且半导体矽基板系仅以指定之截面角压向安装于研磨装置之前述研磨轮,对一侧之截角部进行镜面研磨,接着,将上述半导体矽基板反转,对另一侧之截角部作镜面研磨加工。3.如申请专利范围第1项之半导体矽基板之截角部的研磨方法,其系用来对具有氧化矽层及/或可去除杂质外侧层之半导体矽基板的周缘之截角部作镜面研磨之方法,其特征在于:将半导体矽基板及研磨轮回转,同时将上述半导体矽基板之周缘部压向研磨轮,并对研磨部份供给含有胶质氧化矽之研磨液,以便对上述截角部作镜面研磨;且安装于研磨装置之前述研磨轮的外周设有断面呈〝V〞字形或〝U〞字形的沟,将半导体矽基板之截角部压向上述研磨轮之沟,以同时对表里两侧之截角部作镜面研磨加工。4.如申请专利范围第2项之半导体矽基板之截角部的研磨方法,其系用来对具有氧化矽层及/或可去除杂质外侧层之半导体矽基板的周缘之截角部作镜面研磨之方法,其特征在于:将半导体矽基板及研磨轮回转,同时将上述半导体矽基板之周缘部压向研磨轮,并对研磨部份供给含有胶质氧化矽之研磨液,以便对上述截角部作镜面研磨;且安装于研磨装置之前述研磨轮的外周设有断面呈〝V〞字形或〝U〞字形的沟,将半导体矽基板之截角部压向上述研磨轮之沟,以同时对表里两侧之截角部作镜面研磨加工。5.如申请专利范围第1项之半导体矽基板之截角部的研磨方法,其系用来对具有氧化矽层及/或可去除杂质外侧层之半导体矽基板的周缘之截角部作镜面研磨之方法,其特征在于:将半导体矽基板及研磨轮回转,同时将上述半导体矽基板之周缘部压向研磨轮,并对研磨部份供给含有胶质氧化矽之研磨液,以便对上述截角部作镜面研磨;且安装于研磨装置之前述研磨轮的外周设有断面呈〝V〞字形或〝U〞字形的沟,以及连接于上述沟之外侧的更大之〝V〞字形或〝U〞字形的开口部,从上述开口部对〝V〞字形或〝U〞字形的沟内供给研磨液,以进行半导体矽基板之截角部的镜面研磨加工。6.如申请专利范围第2项之半导体矽基板之截角部的研磨方法,其系用来对具有氧化矽层及/或可去除杂质外侧层之半导体矽基板的周缘之截角部作镜面研磨之方法,其特征在于:将半导体矽基板及研磨轮回转,同时将上述半导体矽基板之周缘部压向研磨轮,并对研磨部份供给含有胶质氧化矽之研磨液,以便对上述截角部作镜面研磨;且安装于研磨装置之前述研磨轮的外周设有断面呈〝V〞字形或〝U〞字形的沟,以及连接于上述沟之外侧的更大之〝V〞字形或〝U〞字形的开口部,从上述开口部对〝V〞字形或〝U〞字形的沟内供给研磨液,以进行半导体矽基板之截角部的镜面研磨加工。7.如申请专利范围第3项之半导体矽基板之截角部的研磨方法,其系用来对具有氧化矽层及/或可去除杂质外侧层之半导体矽基板的周缘之截角部作镜面研磨之方法,其特征在于:将半导体矽基板及研磨轮回转,同时将上述半导体矽基板之周缘部压向研磨轮,并对研磨部份供给含有胶质氧化矽之研磨液,以便对上述截角部作镜面研磨;且安装于研磨装置之前述研磨轮的外周设有断面呈〝V〞字形或〝U〞字形的沟,以及连接于上述沟之外侧的更大之〝V〞字形或〝U〞字形的开口部,从上述开口部对〝V〞字形或〝U〞字形的沟内供给研磨液,以进行半导体矽基板之截角部的镜面研磨加工。8.如申请专利范围第1项之半导体矽基板之截角部的研磨方法,其系用来对具有氧化矽层及/或可去除杂质外侧层之半导体矽基板的周缘之截角部作镜面研磨之方法,其特征在于:将半导体矽基板及研磨轮回转,同时将上述半导体矽基板之周缘部压向研磨轮,并对研磨部份供给含有胶质氧化矽之研磨液,以便对上述截角部作镜面研磨;且上述半导体矽基板回转数为0.1-100r.p.m./min,且上述研磨轮回转数为200-2000r.p.m./min,以进行半导体矽基板之截角部的镜面研磨加工。9.如申请专利范围第2项之半导体矽基板之截角部的研磨方法,其系用来对具有氧化矽层及/或可去除杂质外侧层之半导体矽基板的周缘之截角部作镜面研磨之方法,其特征在于:将半导体矽基板及研磨轮回转,同时将上述半导体矽基板之周缘部压向研磨轮,并对研磨部份供给含有胶质氧化矽之研磨液,以便对上述截角部作镜面研磨;且上述半导体矽基板回转数为0.1-100r.p.m./min,且上述研磨轮回转数为200-2000r.p.m./min,以进行半导体矽基板之截角部的镜面研磨加工。10.如申请专利范围第3项之半导体矽基板之截角部的研磨方法,其系用来对具有氧化矽层及/或可去除杂质外侧层之半导体矽基板的周缘之截角部作镜面研磨之方法,其特征在于:将半导体矽基板及研磨轮回转,同时将上述半导体矽基板之周缘部压向研磨轮,并对研磨部份供给含有胶质氧化矽之研磨液,以便对上述截角部作镜面研磨;且上述半导体矽基板回转数为0.1-100r.p.m./min,且上述研磨轮回转数为200-2000r.p.m./min,以进行半导体矽基板之截角部的镜面研磨加工。11.如申请专利范围第4项之半导体矽基板之截角部的研磨方法,其系用来对具有氧化矽层及/或可去除杂质外侧层之半导体矽基板的周缘之截角部作镜面研磨之方法,其特征在于:将半导体矽基板及研磨轮回转,同时将上述半导体矽基板之周缘部压向研磨轮,并对研磨部份供给含有胶质氧化矽之研磨液,以便对上述截角部作镜面研磨;且上述半导体矽基板回转数为0.1-100r.p.m./min,且上述研磨轮回转数为200-2000r.p.m./min,以进行半导体矽基板之截角部的镜面研磨加工。12.如申请专利范围第5项之半导体矽基板之截角部的研磨方法,其系用来对具有氧化矽层及/或可去除杂质外侧层之半导体矽基板的周缘之截角部作镜面研磨之方法,其特征在于:将半导体矽基板及研磨轮回转,同时将上述半导体矽基板之周缘部压向研磨轮,并对研磨部份供给含有胶质氧化矽之研磨液,以便对上述截角部作镜面研磨;且上述半导体矽基板回转数为0.1-100r.p.m./min,且上述研磨轮回转数为200-2000r.p.m./min,以进行半导体矽基板之截角部的镜面研磨加工。13.如申请专利范围第6项之半导体矽基板之截角部的研磨方法,其系用来对具有氧化矽层及/或可去除杂质外侧层之半导体矽基板的周缘之截角部作镜面研磨之方法,其特征在于:将半导体矽基板及研磨轮回转,同时将上述半导体矽基板之周缘部压向研磨轮,并对研磨部份供给含有胶质氧化矽之研磨液,以便对上述截角部作镜面研磨;且上述半导体矽基板回转数为0.1-100r.p.m./min,且上述研磨轮回转数为200-2000r.p.m./min,以进行半导体矽基板之截角部的镜面研磨加工。图式简单说明:第一图系显示依据本发明之半导体矽基板的截角部之研磨方法的第一实施例之说明图。第二图系底面具有可去除杂质外侧层及氧化矽层之三层构造的半导体矽基板之部份断面模型说明图。第三图系显示构成研磨液之研磨粒与水之混合比相对于氧化矽层除去率的关系之图式。第四图系显示依据本发明之半导体矽基板的截角部之研磨方法的第二实施例之说明图。第五图系显示依据本发明之半导体矽基板的截角部之研磨方法的第三实施例之说明图。第六图系习知之截角加工过程的说明图,(a)系底面形成有氧化矽层之半导体矽基板,(b)系将上述氧化矽层上贴上保护胶带之状态、(c)系以氟酸清洗后之状态。第七图系显示针对半导体矽基板中之氧化矽层部份与未具氧化矽层部份于一定时间内研磨之研磨量的比较结果之图式。