| 发明名称 | 电阻交叉点阵列中多比特存储单元存储器 | ||
| 摘要 | 数据存储装置(110)包括存储单元(114)的电阻的交叉点阵(112)。每一个存储单元(114)包括串联的第一和第二电阻器件(10，20)。每一电阻器件具有可编程的第一和第二电阻状态。所述数据存储器件还包括多个第一、第二和第三导体(116)以及读出电路(126)。每一个第一导体(118)连接到第一磁阻器件(10，20)列的数据层；每一个第二导体(120)连接到第二磁阻器件(10，20)列的数据层；而每一个第三导体(116)位于第一和第二磁阻器件(10，20)行的参考层之间。在读操作期间，读电路(126)施加不同的第一和第二电压。第一电压加到与所选存储单元(114)交叉的第一和第二导体(120)，而第二电压加到与所选存储单元(114)交叉的第三导体(116)。 | ||
| 申请公布号 | CN100466094C | 申请公布日期 | 2009.03.04 |
| 申请号 | CN03145804.1 | 申请日期 | 2003.07.03 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | M·沙马;L·T·特兰 |
| 分类号 | G11C11/15(2006.01);G11C7/06(2006.01) | 主分类号 | G11C11/15(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 张波 |
| 主权项 | 1.一种数据存储器件(110)，它包括：存储单元(114)的电阻性交叉点阵(112)，每一个存储单元(114)包括串联的第一和第二电阻性器件(10，20)，每一个电阻性器件具有可编程的第一和第二电阻状态；多个第一导体(118)，每一个第一导体(118)连接到所述第一电阻性器件(10，20)列的数据层；多个第二导体(120)，每一个第二导体(120)连接到所述第二电阻性器件(10，20)列的数据层；多个第三导体(116)，每一个第三导体(116)位于第一和第二电阻性器件(10，20)行的各参考层之间；以及读电路(126)，用于在读操作期间施加不同的第一和第二电压，所述第一电压加到与所选存储单元(114)交叉的所述第一和第二导体(118，120)，所述第二电压加到与所选存储单元(114)交叉的所述第三导体(116)。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||