半导体晶片及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体晶片，包括多个集成电路管芯区域，各该集成电路管芯区域的周围由一晶片切割道围绕；多个金属垫，设于该晶片切割道上，其中该金属垫至少包括一测试电路，其设于多层介电层中；以及一强化结构，包括沿着各该金属垫的至少一边上所设置的形成在该多层介电层中的多个介层孔。

主权项

1.一种半导体晶片，包括:多个集成电路管芯区域，各该集成电路管芯区域的周围由一晶片切割道围绕；多个测试垫，设于该晶片切割道上，其中该测试垫至少包括一测试电路，其设于多层介电层中；以及一强化结构，包括沿着各该测试垫的至少一边上所设置的形成在该多层介电层中的多个介层孔，各该多个介层孔内填有金属，从而该金属形成金属阻拦墙，该金属阻拦墙包括至少一第一镶嵌金属结构以及一第二镶嵌金属结构，其中形成在该多层介电层中的第DN+1层介电层中的第一镶嵌金属结构向下陷入在该多层介电层中的第DN层介电层，而形成在该多层介电层中的第DN层介电层中的第二镶嵌金属结构向下陷入在该多层介电层中的第DN-1 层介电层。