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L'invention concerne un point mémoire de mémoire de type SRAM (mémoire statique). Le point mémoire comprend classiquement deux inverseurs (INV, INVB) montés tête-bêche entre deux noeuds (N et NB), et au moins un transistor d'accès (TS) apte à être rendu conducteur pendant une phase d'écriture et relié entre un premier noeud (N) et une ligne de données à écrire (DL, DLW), caractérisé en ce qu'il comporte un transistor d'isolement (TAB) inséré en série entre la sortie d'un premier inverseur (INVB) et le premier noeud (N), le transistor d'isolement (TAB) étant commandé par un signal d'isolement au début d'une phase d'écriture. On réduit la consommation de courant lorsqu'il faut inverser l'état du point mémoire.Application à un capteur d'image ayant de nombreux pixels en ligne.
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