非易失性半导体存储装置

摘要

本发明的目的是提供一种能够抑制通过栅电极间绝缘膜的泄漏电流，提高电可靠性的非易失性半导体存储装置。具备：在半导体基板上形成为行列状的多个存储器单元；选择性地连接于同一列方向的多个存储器单元的多个位线；连接于同一行方向的多个存储器单元的多个字线；各存储器单元具备：依次形成于半导体基板上的第1栅绝缘膜，电荷存储层，第2栅绝缘膜，控制电极，和沿着与电荷存储层相对的侧面，在所述硅基板上面形成的1对杂质注入层，其中，在沿着与位线垂直的剖面，在设电荷存储层的上部角部或者表面凹凸部的曲率半径为r、第2栅绝缘膜的氧化硅膜换算厚度为d时，r/d大于等于0.5。

主权项

1.一种非易失性半导体存储装置，其特征在于，具备：半导体基板；在所述半导体基板上形成为行列状的多个存储器单元；选择性地连接于同一列方向的所述多个存储器单元的多个位线；以及连接于同一行方向的所述多个存储器单元的多个字线；所述多个存储器单元的每一个，具备：形成于所述半导体基板上的第1栅绝缘膜；形成于所述第1栅绝缘膜上的电荷存储层；形成于所述电荷存储层上的第2栅绝缘膜；以及形成于所述第2栅绝缘膜上的控制电极；其中，沿着与所述位线垂直的方向的剖面的所述电荷存储层的上角部的曲率半径比沿着与所述字线垂直的方向的剖面的所述电荷存储层的上角部的曲率半径大。