Deux couches semiconductrices de ce laser forment une jonction tunnel qui permet à un courant électrique assurant le pompage de ce laser de passer d'un miroir de Bragg semiconducteur à dopage N (20) à une couche d'injection à dopage P (16) appartenant à la structure amplificatrice de lumière (12,14,16). Ce miroir de Bragg coopère avec un autre miroir du même type ayant le même dopage (18) pour inclure cette structure dans une cavité optique de ce laser. En variante la jonction tunnel peut être enterrée et localisée de manière à constituer un moyen de confinement pour ledit courant de pompage. Ce laser est utilisable dans un réseau de communication à fibres optiques.
