| 主权项 |
1.一种浅沟渠隔离结构之制造方法,至少包括下列步骤:a.提供一基底;b.形成一罩幕层覆盖基底;c.定义该罩幕层形成一开口以暴露出该基底,其中该开口之位置在欲形成该浅沟渠隔离结构之上方;d.在该开口的侧边形成一间隙壁;e.沿该间隙壁蚀刻该基底以形成一沟渠,其中该沟渠深入该基底;f.去除该间隙壁,暴露出一部分之基底上表面;以及g.于该沟渠之一内表面及暴露出之该基底上表面形成一衬氧化层。2.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离的制造方法,其中在该步骤a之后,该步骤b之前更包括在基底上形成一垫氧化层的步骤。3.如申请专利范围第2项所述之浅沟渠隔离的制造方法,其中形成该垫氧化层的方法系为热氧化法。4.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离的制造方法,其中该步骤b中之该罩幕层为一氮化矽层。5.如申请专利范围第4项所述之浅沟渠隔离的制造方法,其中形成该氮化矽的方法系为低压化学气相沈积法。6.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离的制造方法,其中该步骤c中定义该罩幕层的方法更包括上一光阻覆盖该罩幕层,以及以传统的微影与蚀刻法蚀刻该罩幕层以暴露出该基底。7.如申请专利范围第6项所述之浅沟渠隔离的制造方法,其中该蚀刻法包括乾蚀刻法。8.如申请专利范围第7项所述之浅沟渠隔离的制造方法,其中该乾蚀刻法系为使用电浆蚀刻法。9.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离的制造方法,其中该步骤c之后更包括去除该光阻。10.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离的制造方法,其中该步骤d更包括下列步骤:在该罩幕层及该基底表面形成一氧化物层;以及回蚀刻该氧化物层,在该罩幕层侧边形成该间隙壁。11.如中请专利范围第10项所述之浅沟渠隔离的制造方法,其中回蚀刻该氧化物层系以乾蚀刻法进行。12.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离的制造方法,其中该步骤e中该蚀刻法包括非等向性的乾蚀刻法。13.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离的制造方法,其中该步骤f中去除该间隙壁的方法包括湿蚀刻法。14.如申请专利范围第13项所述之浅沟渠隔离的制造方法,其中该湿蚀刻法系为使用氢氟酸溶液。15.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离的制造方法,其中该步骤g中形成该衬氧化层的方法系为热氧化法。16.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离的制造方法,其中该步骤g中该衬氧化层系为与该垫氧化层相接触。17.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离的制造方法,其中该衬氧化层的厚度约为200-600A。18.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离的制造方法,其中该间隙壁的材质系为二氧化矽。19.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离的制造方法,其中该衬氧化层的材质系为二氧化矽。20.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离的制造方法,其中该垫氧化层的材质系为二氧化矽。图式简单说明:第一图A-第一图C系绘示习知一种浅沟渠隔离之制造流程剖面图;第二图系第一图B中虚线框之放大图;以及第三图A-第三图D系绘示依照本发明之一较佳实施例的一种浅沟渠隔离之制造流程剖面图。第四图系第三图C中虚线框之放大图。第五图系第三图D中虚线框之放大图。 |
