| 主权项 |
1.一种在湿化学蚀刻剂浴中至少一个晶圆蚀刻期间之化学蚀刻程序之即时原地监视之无接触方法,该方法包括以下步骤:a)于湿化学浴中提供两个导电性电极,其中该两个电极系紧邻至少一个晶圆,但未与其接触,且再者,其中该两个电极系位于该晶圆之同一侧上;及b)监视此两电极间之电特性,其中在电特性上之一项改变,系表示该蚀刻程序之一项状态。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中在步骤(b)中电特性之监视,系包括监视阻抗,且再者,其中在电特性上之改变,系包括在阻抗上之改变。3.根据由请专利范围第2项之方法,其中在步骤(b)中电特性之监视,系包括监视阻抗,且再者,其中在电特性上之改变,系包括在一种阻抗成分上之改变,其中该成份系选自包括导钠、电抗、电阻、电容及电感。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中在步骤(b)中之状态,像包括一蚀刻终点。5.根据申请专利范围第1项之方法,其进一步包括控制蚀刻程序之步骤,以回应在该电特性上所改变之监视。6.一种用以提供至少一个晶圆在湿化学蚀刻剂浴中蚀刻期间之蚀刻程序状态之指标之无接触即时原地化学蚀刻监视器,该监视器系包括:a)两个埠电性电极;b)一种使该两个导电性电极置于湿化学蚀刻剂浴内部而紧邻至少一个晶圆但未与其接触之装置,其中该两个电极系位于晶圆之同一侧之;及一种监视此两电极间之电特性之装置,其中在该电特性上之一项改变,系表示该蚀刻程序之一项状态。7.根据申请专利范围第6项之监视器,其中该监视器装置系包括一个阻抗监视器,且再者,其中在该电特性上之改变,系包括在阻抗上之一项改变。8.根据申请专利范围第7项之监视器,其中该监视器装置系包括一个阻抗监视器,且再者,其中在该电特性上之改变,系包括在一种阻抗成份上之改变,其中该成份系选自包括导纳、电抗、电阻、电容及电感。9.根据申请专利范围第6项之监视器,其在在装置(c)中之状态,系包括一蚀刻终点。10.根据申请专利范围第6项之监视器,其进一步包括一种控制蚀刻程序之装置,以回应在该电特性上所改变之监视。11.根据申请专利范围第6项之监视器,其进一步包括一种使该至少一个晶圆坚固地定位在湿化学蚀刻剂浴内部而与该两个电极相距一段固定距离之装置。12.根据申请专利范围第11项之监视器,其中该用以将该至少一个晶圆坚固地定位之装置,为可调整以获得该晶圆与该两个电极间之许多距离。13.一种在至少一个晶圆于湿化学蚀刻剂浴中蚀刻期间具有蚀刻程序之无接触即时原地控制之蚀刻站,该蚀刻站包括:a)两个导电性电极;b)一种使该两个导电性电极置于湿化学蚀刻剂浴内部而紧邻至少一个晶圆但未与其接触之装置,其中该两个电极系位于该晶圆之同一侧上;c)一种用以监视该两个电极间之电特性之装置,其中在该电特性上之一项改变,系表示该蚀刻程序之一项状态;及d)一种控制蚀刻程序之装置,以回应在该电特性上之改变之监视。14.根据申请专利范围第13项之蚀刻站,其中该监视器装置系包括一个阻抗监视器,且再者,其中在该电特性上之改变,系包括在阻抗上之一项改变。15.根据申请专利范围第14项之蚀刻站,其中该监视器装置系包括一个阻抗监视器,且再者,其中在该电特性上之改变,系包括在一种阻抗成份上之改变,其中该成份系选自包括导纳、电抗、电阻、霍电及电感。16.根据申请专利范围第13项之蚀刻站,其中在装置(c)中之状态,系包括一蚀刻终点。17.根据申请专利范围第13项之蚀刻站,其进一步包括一种使该至少一个晶图坚固地定位在湿化学蚀刻剂浴内部而与该两个电极相距一段固定距离之装置。18.根据申请专利范围第17项之蚀刻站,其中该用以将该至少一个晶圆坚固地定位之装置,为可调整以获得该晶圆与该两个电极间之许多距离。图式简单说明:第一图显示一种根据本发明之无接触即时原地蚀刻条件监视器;第二图显示根据本发明所监视电特性之图;及第三图显示一种根据本发明纳入该无接触即时原地蚀刻条件监视器之蚀刻站。 |
