发明名称 直热式阴极构造
摘要 一种直接加热型阴极构造,包括:一多孔珠状体,其中浸渍了电子放射物质;一杯状容器用以装入多孔珠状体;一金属体,被焊接在容器底部,以及一灯丝,装设于容器与金属体之间;藉此限制热离子在珠状体的底部与周面的放射,且延长阴极构造的寿命。
申请公布号 TW343343 申请公布日期 1998.10.21
申请号 TW084112995 申请日期 1995.12.06
申请人 三星电管股份有限公司 发明人 金尚均;金昌燮;孙锡峰;郑奉旭
分类号 H01J29/04 主分类号 H01J29/04
代理机构 代理人 郑再钦 台北巿民生东路三段二十一号十楼
主权项 1.一种直热式阴极构造,包括:一多孔珠状体,其中浸渍了电子放射性物质;一用以装入所述多孔珠状体之杯状容器;一焊于所述容器底部的金属体;一装设于容器与金属体之间的灯丝者。2.如申请专利范围第1项之直热式阴极构造,其中所述灯丝系呈多数放射状配置者。3.如申请专利范围第1项之直热式阴极构造,其中所述珠状体系使用至少一种从包含钨、钌、钼、镍及钽的群中选出的金属者。4.如申请专利范围第1项之直热式阴极构造,其中所述灯丝的主要成分系为钨,而副成分为镭者。5.如申请专利范围第1项之直热式阴极构造,其中所述灯丝之直径为0.02-0.05mm者。6.如申请专利范围第2项之直热式阴极构造,其中所述灯丝的直径为0.02-0.50mm者。7.如申请专利范围第1项之直热式阴极构造,其中所述容器系使用至少一个从包含钼、钨、与钽的群中选出的金属所制得者。8.如申请专利范围第2项之直热式阴极构造,其中所述容器系使用至少一个从包含钼、钨、与钽的群中选出的金属所制得者。9.如申请专利范围第7项之直热式阴极构造,其中所述容器之厚度为0.02-0.50mm者。10.如申请专利范围第8项之直热式阴极构造,其中所述容器系使用至少一个从包含钼、钨、与钽的群中选出的金属所制得者。11.如申请专利范围第1项之直热式阴极构造,其中所述金属体系使用至少一个从包含钼、钨、与钽的群中选出的金属所制得者。12.如申请专利范围第2项之直热式阴极构造,其中所述金属体系使用至少一个从包含钼、钨、与钽的群中选出的金属所制得者。13.如申请专利范围第11项之直热式阴极构造,其中所述金属体的直径为0.50-2.00mm,其厚度为0.02-5.00mm者。14.如申请专利范围第12项之直热式阴极构造,其中所述金属体的直径为0.50-2.00mm,其厚度为0.02-5.00mm者。15.如申请专利范围第1项之直热式阴极构造,其中所述珠状体的形状为圆筒状者。16.如申请专利范围第1项之直热式阴极构造,其中所述珠状体的形状为多角柱状者。图式简单说明:第一图系一传统直接加热型阴极构造之立体示意图。第二图系另一传统直接加热型阴极构造之截面示意图。第三图系本发明的直接加热型阴极构造之立体示意图。第四图系第三图所示之直接加热型阴极构造的分解图。第五图系第三图所示之直接加热型阴极构造的截面图。
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