Verfahren zur Bildung eines Nickelsalicids und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements unter Verwendung desselben

摘要

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Bildungg eines Nickelsalicids und auf ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements unter Verwendung desselben. Der Nickelsalicidprozess beinhaltet das Herstellen eines Substrats mit einem Siliciumbereich und einem Silicium enthaltenden isolierenden Bereich sowie das Aufbringen von Nickel auf das Substrat. DOLLAR A Erfindungsgemäß wird das Nickel bei einer ersten Temperatur von etwa 300 DEG C bis etwa 380 DEG C getempert, um selektiv eine Mononickel-Monosilicidschicht auf dem Siliciumbereich zu bilden und nur eine nicht reagierte Nickelschicht auf dem isolierenden Bereich zu belassen. Die nicht reagierte Nickelschicht wird selektiv entfernt, um den isolierenden Bereich freizulegen und gleichzeitig nur die Mononickel-Monosilicidschicht auf dem Siliciumbereich zu belassen. Nachfolgend wird die Monomickel-Monosilicidschicht bei einer zweiten Temperatur getempert, die höher als die erste Temperatur ist, um eine thermisch stabile Mononickel-Monosilicidschicht ohne einen Phasenübergang der Mononickel-Monosilicidschicht zu bilden. DOLLAR A Verwendung z. B. bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen mit MOS-Transistoren.