形成具有自行对准接触窗的记忆元件的方法和所形成装置

摘要

本发明是一种形成具有自行对准接触窗的记忆元件的方法和所形成装置，此方法包括提出一基底，在基底上依序形成一浮置闸介电层、一浮置多晶硅闸层、一氮化硅层与一光阻层。并以光阻层作为蚀刻罩幕，蚀刻氮化硅层与浮置多晶硅闸层。在暴露区表面上形成一氧化层，并移除光阻层与氮化硅层以暴露浮置多晶硅闸层，之后在浮置多晶硅闸层中形成多晶硅间隙，以及在浮置多晶硅闸层的多晶硅间隙上，沉积一氮化硅层，以形成一自行对准接触窗。本发明可配合记忆胞的小型化发展、增加光接触窗微影技术的裕度与解决知随机缺陷所导致的单一位元失效问题。

主权项

1、一种形成具有自行对准接触窗的记忆元件的方法，其特征在于其包括以下步骤：提供一基底，该基底具有一浮置闸介电层形成其上；在该浮置闸介电层上形成一浮置多晶硅闸层；在该浮置多晶硅闸层上形成一氮化硅层；在该氮化硅层上形成一光阻层；以该光阻层作为蚀刻罩幕，蚀刻该氮化硅层的多数个暴露区与该浮置多晶硅闸层；在该些暴露区上形成一氧化层；移除该光阻层与该氮化硅层以暴露该浮置多晶硅闸层；在该浮置多晶硅闸层中，形成多数个多晶硅间隙；以及在该浮置多晶硅闸层的该些多晶硅间隙之上，沉积一氮化硅层，以形成一自行对准接触窗。