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发明名称
包含紧密间距接点的半导体结构及其形成方法
摘要
本发明揭示一种使用用于界定具有亚微影尺寸之图案的各种技术来制造并有与作用区域特征对准之紧密间距接点的半导体结构,及同时制造自对准之紧密间距接点与导线的方法。亦揭示一种具有与作用区域特征对准之紧密间距接点及(视情况)对准之导线的半导体结构,亦揭示具有紧密间距接点孔及用于导线之对准之沟槽的半导体结构。
申请公布号
TW200926262
申请公布日期
2009.06.16
申请号
TW097129387
申请日期
2008.08.01
申请人
美光科技公司
发明人
卢安C 崔恩
分类号
H01L21/027(2006.01);H01L21/3213(2006.01)
主分类号
H01L21/027(2006.01)
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
美国
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