| 发明名称 | 一种从堆叠式栅极闪存中去除介质残余的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种从堆叠式栅极闪存中去除介质残余的方法，包括：第一步，提供一衬底，该衬底上有沟槽；第二步，在衬底上依次形成穿隧氧化层，浮置栅极层，栅间介电层；第三步，形成导体层，并对该导体层进行蚀刻，首先蚀刻形成闪存单元的外围电路，而后进行单元栅极的蚀刻。本发明的有益效果在于，仅调换光罩的顺序，便可以在不增加额外光罩的情况下将ONO残余彻底去除，显著改善合格率。 | ||
| 申请公布号 | CN101459144A | 申请公布日期 | 2009.06.17 |
| 申请号 | CN200710199092.0 | 申请日期 | 2007.12.12 |
| 申请人 | 和舰科技（苏州）有限公司 | 发明人 | 何荣;李秋德 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张春媛 |
| 主权项 | 1. 一种从堆叠式栅极闪存中去除介质残余的方法，其特征在于包括：第一步，提供一衬底，该衬底上有沟槽；第二步，在衬底上依次形成穿隧氧化层，浮置栅极层，栅间介电层；第三步，形成导体层，并对该导体层进行蚀刻，首先蚀刻形成闪存单元的外围电路，而后进行单元栅极的蚀刻。 | ||
| 地址 | 215025江苏省苏州市苏州工业园区星华街333号 | ||