| 发明名称 | 去耦等离子氮化物制程 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种能适用于小尺寸工艺的去耦等离子氮化物(DPN)制程，改善其NBTI性能。该耦等离子氮化物制程在基线去耦等离子氮化物制程中增加制程压力。该DPN制程能够有效地改善器件的负偏压温度稳定性，但是对于器件的电气性能基本没有影响，同时，也不增加制程的复杂度。 | ||
| 申请公布号 | CN101459062A | 申请公布日期 | 2009.06.17 |
| 申请号 | CN200710172140.7 | 申请日期 | 2007.12.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 郭佳衢;何永根;陈旺 |
| 分类号 | H01L21/223(2006.01)I;H01L21/3115(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/223(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陆 嘉 |
| 主权项 | 1. 一种去耦等离子氮化物制程，其特征在于，在基线去耦等离子氮化物制程中增加制程压力。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||