发明名称 强度强化之导线架及半导体装置制造
摘要 一种导线架,具有多数导线,其内导线部耦合于一支承件及一切口形成越过各内导线部之底面靠近支承件侧上前部。LSI晶片附着至支承件后,晶片上垫片经接合线接至多数导线之对应内导线。晶片及内导线部埋入作为保护层之树脂绝缘层中。如雷射光之切割装置切割各内导线部于切口位置使内导线部与支承件分开。之后,分开组合单元装于树脂包装中,切割外导线并整形。就含线接合过程之半导体装置之组合方法,可降低受变形导线引起之接合瑕疵。
申请公布号 TW344889 申请公布日期 1998.11.11
申请号 TW086107912 申请日期 1997.06.07
申请人 山叶股份有限公司 发明人 深谷均
分类号 H01L23/495 主分类号 H01L23/495
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种半导体装置之组合方法,含步骤为:a)准备一导线架具多数导线置于一支承件周围以支承一半导体晶片,各导线具一内导线部及一外导线部,内导线部接至支承件;b)附着具多数电极于主面上之半导体晶片于支承件相对一主面之另一主面处;c)经多数接合线连接多数电极至多数导线之对应内导线部;及d)形成绝缘层为保护层,绝缘层盖住组合单元之顶面,组合罩元含半导体晶片,多数接合线,支承件及多数导线之内导线部。2.如申请专利范围第1项之方法,另包含步骤:e)分开多数导线中各导线之内导线部于支承件,于支承件与接合线至内导线部之接触面积间位置,处于组合单元顶面覆以绝缘层状况下。3.如申请专利范围第2项之方法,其中于组合单元底面执行分开步骤e)。4.如申请专利范围第3项之方法,其中使用水刀执行步骤e)。5.如申请专利范围第3项之方法,其中使用雷射光执行步骤e)。6.如申请专利范围第3项之方法,其中使用化学程序执行步骤e)。7.如申请专利范围第1项之方法,另含步骤:树脂模制并密封覆以绝缘层之组合单元,多数导线之外导线部于步骤d)后露出于树脂模制区之外部。8.一种导线架,包含:一支承件支承半导体晶片;多数导线,各具一内导线部及一外导线部;及耦合内导线部至支承件之机构。9.如申请专利范围第8项之导线架,其中各导线之内导线部至少厚度及宽度之一小
地址 日本
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