| 主权项 |
1.一种位于一基质之改良式焊接端,该焊接端包含至少一导电组件且具有多个电气接触区域,而该等电气接触区域为一绝缘层所分隔,该焊接端包含:一金属黏着层,该金属黏着层利用一对该导电组件系具选择性之程序蚀刻;一覆盖且接触该黏着层之铬铜合金层;用以蚀刻金属黏着层之该程序进一步对该铬铜合金层系为具选择性之蚀刻程序;一覆盖且接触该铬铜层之焊接接合金属层;及一覆盖且接触该焊接接合层之焊接层。2.如申请专利范围第1项之改良式焊接端,其中该金属黏着层是选自基本上包含氮化钛(TiN)与钛钨(TiW)之群组。3.如申请专利范围第1项之改良式焊接端,其中该金属黏着层是由二层所构成:一底部钛层与一顶部层,而该顶部层是选自基本上包含氮化钛,钛钨,与钨(W)之群组。4.如申请专利范围第1项之改良式焊接端,其中该金属黏着层之厚度介于250埃与2000埃之间。5.如申请专利范围第1项之改良式焊接端,其中该金属黏着层宜为大约1000埃。6.如申请专利范围第1项之改良式焊接端,其中该顶部绝缘膜是选自基本上包含聚亚胺,二氧化矽,氮化矽与氮氧化矽之群组。7.如申请专利范围第1项之改良式焊接端,其中该焊料是选自基本上包含铅锡,铅铟与铅铋之群组。8.如申请专利范围第1项之改良式焊接端,其中该铬铜层之厚度大于250埃。9.如申请专利范围第8项之改良式焊接端,该铬铜层是由介于20与80原子百分率间之铜所制成。10.如申请专利范围第1项之改良式焊接端,其中该焊接接合层是选自基本上包含铜,钴与镍之群组。11.如申请专利范围第1项之改良式焊接端,其中该焊接接合层之厚度是选自介于1000埃与2微米间之范围。12.一种制造位于一基质之改良式焊接端的方法,该焊接端包含至少一导电组件且进一步具有多个电气接触区域,而该等电气接触区域为一绝缘层所分隔,该方法包含:沉积一黏着金属层;沉积一覆盖且接触该黏着金属层之铬铜合金层;该黏着金属层之特征为其对该导电组件与该铬铜合金层为可选择性蚀刻;沉积一覆盖且接触该铬铜层之焊料可接合金属层;在该焊料可接合层之选择区域选择性地形成焊接;利用该焊接做为遮罩来蚀刻该焊料可接合层与铬铜层且停止于该黏着层;且利用一程序蚀刻该金属黏着层,且该程序可选择性蚀刻焊接,铬铜合金层,焊接接合层与基质中之导电组件。13.如申请专利范围第12项之方法,其中该黏着金属层是选自基本上包含钛钨与氮化钛之群组。14.如申请专利范围第12项之方法,其中该黏着金属层是由二层所构成:一底部钛层与一顶部层,而该顶部层是选自基本上包含氮化钛,钛钨,与钨之群组。15.如申请专利范围第12项之方法,其中该黏着金属层是藉由选自溅泼,化学蒸气沉积与电镀之一程序来构成。16.如申请专利范围第12项之方法,其中该铬铜合金层是藉由自一包含铬与铜之合金标靶溅泼来沉积。17.如申请专利范围第12项之方法,其中该铬铜合金层是藉由自一铬标靶与一铜标靶共同溅泼来构成。18.如申请专利范围第12项之方法,其中该铬铜合金层是藉由自一铬来源与一铜来源共同蒸发来形成。19.如申请专利范围第12项之方法,其中该焊接是藉着经由具有孔隙之绝缘遮罩层来电镀而形成。20.如申请专利范围第12项之方法,其中该铬铜合金层与焊接接合层是藉由一电蚀刻程序来加以蚀刻。21.如申请专利范围第12项之方法,其中该黏着层是藉由使用湿化学物或一电浆之程序来加以蚀刻。图式简单说明:第一图展示一种运用倒装晶片连结之微电子电路次装置的图形。第二图展示第一图所示之半导体晶片的扫描电子显微照相,而该半导体晶片具有多个焊接端。第三图展示第二图所示之半导体晶片之焊接端的横截面图。第四图A与第四图B展示使用焊接端之二不同基质组态的横截面图并展示在焊接端蚀刻程序中需要保护之基质区域。第五图是展示本发明之处理步骤的方块图。 |
