| 发明名称 | 具有金属半导体结的半导体器件及其制造 | ||
| 摘要 | 本发明涉及具有金属半导体结的半导体器件及其制造。一种用于制造半导体器件的方法包括：提供具有第一半导体层（1）的晶片（410），在第一半导体层（1）处形成包括金属化学元素的接触层（10’）；以及将不同于所述金属化学元素的第一化学元素的离子注入到所述接触层（10’）中。 | ||
| 申请公布号 | CN105702577A | 申请公布日期 | 2016.06.22 |
| 申请号 | CN201510954439.2 | 申请日期 | 2015.12.16 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | J.P.康拉特;H-J.舒尔策 |
| 分类号 | H01L21/331(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/331(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 申屠伟进;杜荔南 |
| 主权项 | 一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：‑ 提供包括第一半导体层（1）的晶片（410）；‑ 在第一半导体层（1）处形成包括金属化学元素的接触层（10’）；以及‑ 将不同于所述金属化学元素的第一化学元素的离子注入到所述接触层（10’）中。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号 | ||