| 发明名称 | 一种薄膜晶体管、阵列基板、其制作方法及显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜晶体管、阵列基板、其制作方法及显示装置，通过一次构图工艺形成有源层、源漏极以及刻蚀阻挡层的图形，所述刻蚀阻挡层覆盖所述有源层且位于所述源漏极之间，即通过一次构图工艺同时完成了有源层、源漏极和刻蚀阻挡层三个图形的构图，减少了薄膜晶体管制作过程中的构图次数，简化了生产工艺，节约了生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN105702586A | 申请公布日期 | 2016.06.22 |
| 申请号 | CN201610278253.4 | 申请日期 | 2016.04.28 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 宁策;杨维 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上通过一次构图工艺形成有源层、源漏极以及刻蚀阻挡层的图形，所述刻蚀阻挡层覆盖所述有源层且位于所述源漏极之间。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||