| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，用以增大薄膜晶体管的开态电流，提高薄膜晶体管的电流特性。所述薄膜晶体管，包括衬底基板，设置在所述衬底基板上的栅极绝缘层和栅极；其中，在所述栅极绝缘层与栅极之间还设置有导电层；其中，所述导电层在所述衬底基板上的投影大于所述栅极在所述衬底基板上的投影重叠。 | ||
| 申请公布号 | CN105702744A | 申请公布日期 | 2016.06.22 |
| 申请号 | CN201610206441.6 | 申请日期 | 2016.04.05 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 王美丽;闫梁臣 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底基板，设置在所述衬底基板上方的栅极绝缘层和栅极；其中，在所述栅极绝缘层与栅极之间还设置有导电层；其中，所述导电层在所述衬底基板上的投影大于所述栅极在所述衬底基板上的投影。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||