发明名称 |
MoSe<sub>2</sub>纳米片复合烟花状TiO<sub>2</sub>纳米棒阵列及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种MoSe<sub>2</sub>纳米片复合烟花状TiO<sub>2</sub>纳米棒阵列,其包括TiO<sub>2</sub>纳米棒阵列和MoSe<sub>2</sub>纳米片;所述MoSe<sub>2</sub>纳米片均匀且大量分布在所述TiO<sub>2</sub>纳米棒阵列的表面,在阵列表面具有良好复合;所述TiO<sub>2</sub>纳米棒阵列是由TiO<sub>2</sub>纳米棒自组装形成的。为本发明还公开了所述MoSe<sub>2</sub>纳米片复合烟花状TiO<sub>2</sub>纳米棒阵列的制备方法,采用两步溶剂热法使MoSe<sub>2</sub>纳米片均匀生长在烟花状的TiO<sub>2</sub>纳米棒阵列上,得到良好复合形貌的材料。所制备的半导体材料具有增大的光谱吸收范围和比表面积,降低的载流子复合几率,具有良好的光催化降解性能,在光催化降解领域有巨大应用潜力。本发明制备方法具有操作简单,产量高,制备成本低等优点。 |
申请公布号 |
CN105833886A |
申请公布日期 |
2016.08.10 |
申请号 |
CN201610156678.8 |
申请日期 |
2016.03.18 |
申请人 |
华东师范大学 |
发明人 |
雷祥;郁可;朱自强 |
分类号 |
B01J27/057(2006.01)I;B01J35/08(2006.01)I;B01J35/10(2006.01)I;B01J37/10(2006.01)I;C02F1/30(2006.01)I;C02F101/38(2006.01)N |
主分类号 |
B01J27/057(2006.01)I |
代理机构 |
上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 |
代理人 |
董红曼 |
主权项 |
一种MoSe<sub>2</sub>纳米片复合烟花状TiO<sub>2</sub>纳米棒阵列,其特征在于,所述MoSe<sub>2</sub>纳米片复合烟花状TiO<sub>2</sub>纳米棒阵列包括烟花状TiO<sub>2</sub>纳米棒阵列和MoSe<sub>2</sub>纳米片;其中,无添加剂,使用溶剂热法将所述MoSe<sub>2</sub>纳米片均匀生长在所述烟花状的TiO<sub>2</sub>纳米棒阵列的表面;所述MoSe<sub>2</sub>纳米片复合烟花状TiO<sub>2</sub>纳米棒阵列拥有卓越的光催化降解性能。 |
地址 |
200062 上海市普陀区中山北路3663号 |